Võltsingu ja defektide ennetamine
Visuaalne ja pakendikontroll
Elektriline tulemuslikkuse kontroll
Teenuse e-posti aadress:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 tk Uus Originaal Laos
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Küsi pakkumist
(Laevad homme)
*Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Hinnangud)
IPP041N12N3GXKSA1
Toote ülevaade
12803539
DiGi Electronics Osanumber
IPP041N12N3GXKSA1-DGTootja
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Kirjeldus
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventuur
200457 tk Uus Originaal Laos
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
Ost ja uurimine
garantii ja tagastused
Kuidas tellida
Saadetis ja Kohaletoimetamine
Kvaliteedi tagamine
365 – Päeva kvaliteedikindlus – Iga osa on täielikult tagatud.
90-päevane tagasimakse või vahetus - Defektseid osi? Pole probleemi.
Piiratud laoseis, Tellige kohe - Saate usaldusväärseid osi muretsemata.
Globaalse Kaupmehe ja Turvalise Pakendamise
Maailmamajanduslik kohaletoimetamine 3-5 tööpäeva jooksul
100% ESD vastupidav tava- ja staatilisele elektrile kaitsev pakend
Reaalajas jälgimine iga tellimuse puhul
Turvaline ja paindlik makse
Krediitkaart, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraafüleediving (T/T) ja rohkem
Kõik maksed on turvaliseks krüptitud
IPP041N12N3GXKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Transistorid, FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Pakendamine
Tube
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
120 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IPP041
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
Laadi alla IPP041N12N3GXKSA1 Toote spetsifikatsioon (PDF)
Andmelehed
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML andmeleht
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisainfo
Muud nimed
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Standardpakett
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
diciembre 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
diciembre 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
diciembre 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
diciembre 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
diciembre 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
diciembre 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
diciembre 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
diciembre 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Korduma Küsimused (KK)
Mis on Infineon OptiMOS™ N-kanal MOSFET (IPP041N12N3GXKSA1) peamised omadused?
See MOSFET toetab 120V drenaaži-juhtimis-ning vastab 25°C juures pidevale 120A juhtivale voolule, mille Rds On on vaid 4,1 mΩ, muutes selle sobivaks kõrgtõhusateks lülitusrakendusteks. Disainitud on see TO-220-3 pakendis, mis tagab lihtsa monteerimise ja usaldusväärse toimimise.
Milliseid rakendusi sobib see 120V 120A MOSFET?
See MOSFET sobib suurepäraselt toitekonverterite, motorijuhtide ja kõrgevoolu lülituskehade jaoks, kus on kriitiline tõhus jõu teadmiste haldamine ja hea termiline jõudlus. Selle tugev disain tagab vastupidavuse nõudlikes elektroonikajärkudes.
Kas see N-kanali MOSFET ühildub olemasolevate elektroonikadisainidega?
Jah, IPP041N12N3GXKSA1 on ühilduv standardsete juhtimisrõngaste pingetega ning selle sõelumislävhint on 4V, mistõttu sobib mitmesuguste lülituslike toiteallikate ning sisseehitatud süsteemide jaoks.
Milliseid eeliseid pakuvad Infineoni OptiMOS™ seeria MOSFETid?
OptiMOS™ MOSFETid on tuntud oma madala Rds On, suure tõhususe ning suurepärase termilise jõudluse poolest, mis aitab vähendada energialeit ja parandada üldist süsteemi usaldusväärsust.
Millist garantiid ja tuge pakutakse selle MOSFET toote jaoks?
Kuna tegemist on aktiivse ja RoHS3-sertifikaadiga tootega, on see toetatud tootja poolt ning kuulub kvaliteedi tagamise alla. Toode saadetakse otse laoseisust, tagades kiire kättesaadavuse sinu projektidele.
Kvaliteedi tagamine (QC)
DiGi tagab iga elektroonilise komponendi kvaliteedi ja autentsuse läbi professionaalsete uuringute ja partii proovide, tagades usaldusväärse hankimise, stabiilse jõudluse ning vastavuse tehnilistele nõuetele, aidates klientidel vähendada tarneahela riske ning kasutades komponente tootmises enesekindlalt.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
