Võltsingu ja defektide ennetamine
Visuaalne ja pakendikontroll
Elektriline tulemuslikkuse kontroll
Teenuse e-posti aadress:
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 tk Uus Originaal Laos
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Küsi pakkumist
(Laevad homme)
*Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
5.0 / 5.0
- (245 Hinnangud)
TK160F10N1L,LQ
Toote ülevaade
12891217
DiGi Electronics Osanumber
TK160F10N1L,LQ-DG
TK160F10N1L,LQ
Kirjeldus
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMInventuur
1000416 tk Uus Originaal Laos
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
Ost ja uurimine
garantii ja tagastused
Kuidas tellida
Saadetis ja Kohaletoimetamine
Kvaliteedi tagamine
365 – Päeva kvaliteedikindlus – Iga osa on täielikult tagatud.
90-päevane tagasimakse või vahetus - Defektseid osi? Pole probleemi.
Piiratud laoseis, Tellige kohe - Saate usaldusväärseid osi muretsemata.
Globaalse Kaupmehe ja Turvalise Pakendamise
Maailmamajanduslik kohaletoimetamine 3-5 tööpäeva jooksul
100% ESD vastupidav tava- ja staatilisele elektrile kaitsev pakend
Reaalajas jälgimine iga tellimuse puhul
Turvaline ja paindlik makse
Krediitkaart, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraafüleediving (T/T) ja rohkem
Kõik maksed on turvaliseks krüptitud
TK160F10N1L,LQ Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Transistorid, FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
U-MOSVIII-H
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
160A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
375W (Tc)
Töötemperatuur
175°C
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-220SM(W)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
TK160F10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
Laadi alla TK160F10N1L,LQ Toote spetsifikatsioon (PDF)
Andmelehed
TK160F10N1L
HTML andmeleht
TK160F10N1L,LQ-DG
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisainfo
Muud nimed
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
Standardpakett
1,000
Alternatiivsed osad
Osa number
TOOTJA
KOGUS SAADAVAL
DiGi OSANUMBER
ÜHIKPRICE
ASENDAMISE TüÜP
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
diciembre 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
diciembre 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
diciembre 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
diciembre 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
diciembre 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Korduma Küsimused (KK)
Millised on Toshiba TK160F10N1L MOSFET-i peamised omadused?
Toshuba TK160F10N1L on kõrge jõudlusega N-kanali MOSFET, mille nominaalpinge on 100V ja pidev drenaažvool 160A, ning mis on mõeldud tõhusaks toitelülitamiseks ja haldamiseks erinevates elektroonikarakendustes.
Kas Toshiba TK160F10N1L MOSFET sobib kõrge temperatuuriga keskkondadesse?
Jah, see MOSFET suudab töötada temperatuuridel kuni 175°C, muutes selle sobivaks nõudlikele toiterakendustele, mis nõuavad kõrget termilist tolerantsust.
Kas Toshiba TK160F10N1L MOSFET-i saab kasutada erinevate gate'i juhtekvanatavate pingetega?
Jah, see toetab juhtepingeid 6V ja 10V ning maksimaalset Vgs väärtust ±20V, pakkudes paindlikkust erinevate ahelate ja juhtimissüsteemide jaoks. Lisaks on selle Rds(on) väärtus 2,4 mΩ 80A ja 10V juures, mis aitab minimeerida töötamise ajal toitekao.
Millised on selle MOSFET-i pakendamisvõimalused ja paigaldustüüp?
Toshuba TK160F10N1L on saadaval Tape & Reel (TR) pakendis ja selleks on kasutuses TO-220SM (D2PAK) karp, mis sobib pinnaühendumiseks ning automatiseeritud suuremahulise montaaži jaoks. Toodet järgib RoHS3 keskkonnastandardit, muutes selle keskkonnasõbralikuks ning sobivaks kaasaegse elektroonikatööstuse jaoks.
Kust ma võin osta Toshiba TK160F10N1L MOSFET-i ja mis ametialast tuge pakutakse pärast ostu?
Seda MOSFET-i on saadaval laos volitatud jaemüüjatel, mille puhul on valmis millionsed ühikud kohaletoimetamiseks. Pärast-müügi toega saate ühendust võtta Toshuba või oma müügiesindajaga garantii- ja tehnilise toe saamiseks.
Kvaliteedi tagamine (QC)
DiGi tagab iga elektroonilise komponendi kvaliteedi ja autentsuse läbi professionaalsete uuringute ja partii proovide, tagades usaldusväärse hankimise, stabiilse jõudluse ning vastavuse tehnilistele nõuetele, aidates klientidel vähendada tarneahela riske ning kasutades komponente tootmises enesekindlalt.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
