Võltsingu ja defektide ennetamine
Visuaalne ja pakendikontroll
Elektriline tulemuslikkuse kontroll
Teenuse e-posti aadress:
[email protected]
>
SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17233 tk Uus Originaal Laos
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Küsi pakkumist
(Laevad homme)
*Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
5.0 / 5.0
- (310 Hinnangud)
SI7997DP-T1-GE3
Toote ülevaade
12786528
DiGi Electronics Osanumber
SI7997DP-T1-GE3-DGTootja
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
Kirjeldus
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Inventuur
17233 tk Uus Originaal Laos
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
Ost ja uurimine
garantii ja tagastused
Kuidas tellida
Saadetis ja Kohaletoimetamine
Kvaliteedi tagamine
365 – Päeva kvaliteedikindlus – Iga osa on täielikult tagatud.
90-päevane tagasimakse või vahetus - Defektseid osi? Pole probleemi.
Piiratud laoseis, Tellige kohe - Saate usaldusväärseid osi muretsemata.
Globaalse Kaupmehe ja Turvalise Pakendamise
Maailmamajanduslik kohaletoimetamine 3-5 tööpäeva jooksul
100% ESD vastupidav tava- ja staatilisele elektrile kaitsev pakend
Reaalajas jälgimine iga tellimuse puhul
Turvaline ja paindlik makse
Krediitkaart, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraafüleediving (T/T) ja rohkem
Kõik maksed on turvaliseks krüptitud
SI7997DP-T1-GE3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Transistorid, FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
TrenchFET®
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 P-Channel (Dual)
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
60A
Rds sees (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
160nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6200pF @ 15V
Võimsus - Max
46W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
PowerPAK® SO-8 Dual
Tarnija seadme pakett
PowerPAK® SO-8 Dual
Põhitoote number
SI7997
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
Laadi alla SI7997DP-T1-GE3 Toote spetsifikatsioon (PDF)
Andmelehed
SI7997DP
HTML andmeleht
SI7997DP-T1-GE3-DG
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Lisainfo
Muud nimed
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Standardpakett
3,000
Alternatiivsed osad
Osa number
TOOTJA
KOGUS SAADAVAL
DiGi OSANUMBER
ÜHIKPRICE
ASENDAMISE TüÜP
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
diciembre 02, 2025
包裝設計非常耐用，讓我對他們的品質充滿信心。
diciembre 02, 2025
J'apprécie leur politique tarifaire avantageuse, idéale pour les jeunes entreprises.
diciembre 02, 2025
Service client excellent et produits de grande qualité à des prix compétitifs.
diciembre 02, 2025
I love their pricing strategy—it helps me stay on budget.
diciembre 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers on time, ensuring my projects stay on schedule and run smoothly.
diciembre 02, 2025
The packaging design is not only sturdy but also environmentally friendly, which I appreciate.
diciembre 02, 2025
The packaging materials are of high quality, providing excellent protection.
diciembre 02, 2025
Customer onboarding on their website is straightforward and hassle-free.
diciembre 02, 2025
Fast delivery combined with excellent support makes them a trusted partner.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Korduma Küsimused (KK)
Millised on Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET rühma peamised omadused?
Vishay SI7997DP-T1-GE3 on topelt P-kanali MOSFET-rühm, mis on mõeldud pindmontimiseks ja pakub maksimaalset drenaaži-allika pinge väärtust 30V, pidevat drenaaživoolu kuni 60A ning madalat Rds(on) väärtust 5,5 mΩ 20A juures. Toode on saadaval PowerPAK® SO-8 Topelt pakendis ning sobib kõrge võimsuse ja kiire lülituskiirusega ühenduste jaoks.
Kuidas saan kasutada Vishay SI7997DP-T1-GE3 MOSFET-e oma elektroonikaprojektides?
Need MOSFET-id on ideaalsed võimsusjaotuse, koormuslülituse ja mootorikontrolli rakendustes, kus on vajalik tõhus lülitumine ja madalad juhtkadu. Nende pindmontimise disain võimaldab neid paigaldada kompaktsetele ja kõrge jõudlusega PCB-dele.
Kas Vishay SI7997DP-T1-GE3 on ühilduv standardsete pindmontimise keevitusprotsessidega?
Jah, MOSFET- rühm on varustatud PowerPAK® SO-8 Topelt pakendiga, mis on ühilduv standardsete pindmontimise keevitusmeetoditega ning tagab lihtsa integreerimise kaasaegsetesse PCB-desüsteemidesse.
Milliseid eeliseid pakub Vishay TrenchFET® tehnoloogia selles MOSFET- rühmas?
TrenchFET® tehnoloogia võimaldab madalamat Rds(on)-väärtust, suuremat tõhusust ning paremaks muundurivsust, aidates vähendada soojusliku dissipatsiooni ja tõsta üldist usaldusväärsust võimsusrakendustes.
Kas Vishay SI7997DP-T1-GE3 pakutakse tootjapoolse garantiiga või müügijärgse toe kaudu?
Kuna tegemist on uue, originaalse ja laos olevaga, kaasneb sellega tavaliselt tootja tugi ning RoHS3 standardite järgimine, mis tagab toote kvaliteedi ja keskkonnakindluse. Täpsema info saamiseks pidage nõu oma müügiesindajaga garantiipoliitika kohta.
Kvaliteedi tagamine (QC)
DiGi tagab iga elektroonilise komponendi kvaliteedi ja autentsuse läbi professionaalsete uuringute ja partii proovide, tagades usaldusväärse hankimise, stabiilse jõudluse ning vastavuse tehnilistele nõuetele, aidates klientidel vähendada tarneahela riske ning kasutades komponente tootmises enesekindlalt.
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
